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RIGAKU日本理学 X 射线荧光光谱仪

2025年03月15日 13:41 来源:北崎国际贸易(北京)有限公司

AZX 400

用于薄膜评估的 X 射线荧光光谱仪

将 Be~U 中的所有元素(包括 B、C、N 和 O)包含在一个单元中,这些元素是重要的半导体材料

波长色散 X 射线荧光 (WDX) 光谱仪的**模型

WDX 具有高信噪比和高分辨率,使用可实现比能量色散 X 射线荧光 (EDX) 仪器更准确的分析。 高功率 X 射线管和专用于超轻元素的光谱晶体可实现超轻元素测量,例如 B、C、N 和 O,这是 EDX 无法实现的。 此外,由于 Si 的影响,难以用 EDX 分析的 Al 超薄膜可以通过高分辨率的 WDX 清晰分离。


AZX 400 用于大样品的序列波长色散 XRF 光谱仪

AZX 400 规格

产品名称阿兹 400
技术扫描波长色散 X 射线荧光光谱法 (WDXRF)
分析所有样品的薄膜厚度和成分,例如 φ50 mm 至 φ300 mm 的晶圆、芯片、切割的晶圆等。
科技将 Be~U 中的所有元素(包括 B、C、N 和 O)包含在一个单元中,这些元素是重要的半导体材料
主要组件4 kW 封装 X 射线管、扫描测角仪、初级 X 射线滤光片、φ 30、20、10、1、0.5 mm 视场限制装置
选择晶圆加载器、SQX 软件、CCD 相机
控制 (OC)外部 PC、MS Windows®作系统、同步涂层厚度成分分析标准软件
本体尺寸1376 (W) x 1710 (H) x 890 (D) 毫米
重量约 800 kg(主机)
权力三相 200 VAC 50/60 Hz,50A


可以进行超轻元素测量。

我们已经实现了对 B 的高灵敏度分析,B 用于通用存储器和磁头等磁性材料。 如果使用 FP 方法,也可以同时分析薄膜厚度和成分。

能够分析超薄膜

在 MRAM 中的重要材料 MgO 薄膜中,可以高精度地区分 0.1 nm 的薄膜厚度差异。 未来,预计薄膜将变薄至约 0.5 nm,但 AZX 400 可用于充分分析。

多层薄膜分析

AZX 400 能够使用 FP 方法对多达 10 层层压薄膜进行全层分析。 在 STT-MRAM 的情况下,除了 MgO 和 CoFeB 的重要膜外,还可以在单个配方中分析 Ta、Ru、PtMn 等。

使用灵敏度库进行无标样分析

对于标准品制备困难的应用,使用 SQX 软件(可选)进行半定量分析非常有用。 由于还考虑了晶圆分析的干涉衍射线的影响,并且可以选择多个光谱,因此可分析的薄膜厚度比以前宽了一个数量级。

兼容各种样品形状,从大样品到切割晶圆

使用大型样品室可容纳*大 φ400 mm × 50 (H) mm(*大重量 30 kg)的样品尺寸。 适配器适用于各种样品形状。 从 300mm 晶圆的大型溅射靶材到切割晶圆,我们都可以用一个单元灵活地处理它们。

晶圆装载机的自动输送(新)

从 300 mm FOUP 到 100 mm 开口包埋盒(可选)。 可以进行全自动分析,例如在夜间进行分析,从而提高分析工作的效率。

配备 CCD 摄像头,用于样品观察

CCD 相机(可选)可以测量对准异物和图案的点。 可以在查看图像时设置*小直径为 φ0.5 mm 的任何测量点。 面内分布测量可在一次测量中执行多达 999 个点。 结合高精度样品台,可实现 0.1 mm 步长的分析。

由经过验证的软件提供支持

基于其他型号采用并已在数百台设备上使用的软件,它实现了多种用户友好的功能。

SEMI 标准品收购

它是 SEMI 认证的仪器,为**半导体制造应用设定了标准。

AZX 400 应用

・溅射靶材成分
和绝缘膜:SiO2、BPSG、PSG、AsSG、Si₃N₄、SiOF、SiON等
高介电常数和铁电薄膜:PZT、BST、SBT、Ta₂O₅、HfSiOx
・金属薄膜:Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni 等。
・电极薄膜:掺杂多晶硅(掺杂剂:B、N、O、P、As)、非晶硅、WSix、Pt 等。
其他掺杂薄膜(As、P)、捕获惰性气体(Ne、Ar、Kr 等)、C (DLC)、
铁电薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR。 PCM、GST、GeTe
、焊点的组成:SnAg、SnAgCuNi
、MEMS:ZnO、AlN、PZT、SAW 器件的厚度和组成
工艺:AlN、ZnO、ZnS、SiO ₃(压电薄膜)的厚度和组成 Al、AlCu、AlSc、AlTi(电极膜)


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