三极管原理

一、三极管原理- -简介

三极管，英文名称为Triode，是半导体三极管的简称，又名晶体三极管、双极性晶体管，是一种电路中常见的基本元器件，主要用于完成对微弱信号的放大作用，由巴丁、布莱顿、肖克莱三位博士于1947年研制成功，三极管的出现，带动了半导体电子工业的发展，也使得集成电路、大规模集成电路逐步出现并得到广泛应用。

二、三极管原理- -结构

三极管实际上就是两个PN结将半导体分为了发射区、基区、集电区三部分，进而构成了发射极、基极、集电极三个端口，根据其排列方式的不同可分为PNP型和NPN型两种。三极管的构成材料可分为硅或锗两种，一般情况下NPN型三极管多采用硅材料，而PNP型三极管多采用锗结构，这两种结构的三极管原理大致相同，接下来我们就以NPN型三极管为例来具体讲述三极管原理。

三、NPN型三极管原理

NPN型三极管的结构如下图所示，根据其结构，其工作原理大致上可分为三步，首先，发射区向基区发射电子，我们将电源通过电阻Rb与发射结相连，使得发射结正向偏置，发射区的多数载流子不断向基区移动，形成射极电流;其次，电子在基区中发生移动，由于电子聚集在发射结处而形成电子浓度差，使得电子发生移动并逐步聚集在集电结处;最后，集电区收集基区的电子，由于集电结外加反向电压，使得电子在其电场力作用下向集电区移动，形成集电极电流。

根据上述工作原理，三极管在制造时就会使得发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时要保证基区做的很薄，这样，就会使得在集电极电流中，只有很少的一部分电子在基区的空穴进行复合，也就是说，基极处提供的一个很小的电流，转换为集电极电流后会扩大一定的倍数，从而完成其电流放大作用。