USHIO超高压汞灯在半导体光刻工艺中的技术优势

USHIO超高压汞灯在半导体光刻工艺中的技术优势

在半导体制造中，光刻是决定芯片制程精度的核心工序，而光源系统则是光刻设备的“心脏”。

日本USHIO（牛尾）电机株式会社自1964年成立以来，深耕特种光源领域近60年，其超高压汞灯产品已广泛应用于全球半导体光刻产线。

USHIO超高压汞灯主要作为半导体、液晶及印刷基板等光刻工序的光源，配备于各类曝光装置中。

针对半导体制造中不断提高的成品率要求和日益突出的环保压力，USHIO开发出“Full/Half亮灯方式”技术，可实现超高压UV灯在工作时输入电力保持100%、待机时降至50%的双阶段切换，使耗电量和二氧化碳排放量较传统方式削减约40%。

以使用20支25kW超高压UV灯的生产线为例，该技术每年可削减约204万kWh的耗电量 ，CO₂排放量减少约780吨，同时因总放射热量降低，有助于实现曝光装置及冷却单元的小型化。

该技术的核心突破在于开发出待机时输出功率减至50%也不会发生热变形的电极，并配备可灵活调整工作与待机时间间隔的控制单元，解决了传统UV灯在待机时因输出功率降低导致电极热变形进而影响亮度和寿命的技术难题。

凭借这一技术优势，USHIO超高压汞灯在保障光刻精度的同时，显著降低了制程能耗和运营成本。